Propriedades semicondutoras do óxido de Ti em substratos de vidro/Ti e folha de Ti em contato com uma solução de HClO4 0,5 M
DOI:
https://doi.org/10.33414/rtyc.45.14-30.2022Palavras-chave:
células solares fotoeletroquímicas, propriedades semicondutoras, modelo Mott-Schottky, dióxido de titânioResumo
O estudo da interface semicondutor/eletrólito tem aplicações na produção de células solares fotoeletroquímicas. As propriedades semicondutoras de um semicondutor tipo n podem ser avaliadas pelo modelo de Mott-Schottky quando ele é colocado em contato com um eletrólito. O titânio (Ti) é um metal que apresenta um filme de óxido espontâneo, o dióxido de titânio (TiO2), que pode ser cultivado por anodização. En este trabajo se crecieron anódicamente películas de óxido de Ti, sobre los sustratos vidrio/Ti y chapa de Ti, y se aplicó el modelo de Mott-Schottky para evaluar sus propiedades semiconductoras en contacto con una solución de 0,5 M de HClO4 a temperatura ambiente. Nas condições descritas neste trabalho, os eletrodos de placa de vidro/Ti/TiO2 e Ti/TiO2 apresentam o comportamento de um semicondutor tipo n com concentração doadora da ordem de 1021 e 1020 cm-3, respectivamente. Os filmes de óxido foram estáveis antes e depois dos experimentos.
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