Desarrollo de Hardware y Software de un Sistema de Espectroscopia de Reflectancia Difusa (DRS) para Medir la Temperatura del Sustrato Semiconductor in-situ
DOI:
https://doi.org/10.33414/rtyc.41.118-134.2021Palabras clave:
Espectroscopia de reflectancia difusa, SI-GaAs, n-GaAs, Medidas de temperaturaResumen
Se desarrolla un sistema de espectroscopia de reflectancia difusa (DRS) para medir la temperatura de materiales semiconductores en vacío ultra alto cámara. DRS es un método óptico para monitorear la temperatura de materiales semiconductores con la temperatura dependiente band gap. El sistema está calibrado y probado para sustratos de n-GaAs y GaAs. En la comunicación actual, se informa sobre el desarrollo de hardware, software y la calibración del sistema.
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