Estudio de la degradación y ruptura de estructuras MOS basadas en óxidos high-k multicapas

Resumen

El crecimiento exponencial de la industria electrónica ha sido impulsado por un aumento en la densidad de transistores complementarios metal-óxido-semiconductor (CMOS). Pero la tecnología de transistores basada en Silicio está cerca de los límites físicos de la miniaturización, amenazando con acabar con la revolución microelectrónica. Actualmente, se están realizando importantes avances tecnológicos en cuanto a una nueva generación de dispositivos basados en una combinación inteligente de materiales seleccionados. En este trabajo se estudia el desgaste y ruptura de dispositivos MOS basados en óxidos multicapa de alta permitividad. Los resultados experimentales sugieren que el uso de óxidos con alta conductividad térmica tiene un fuerte impacto en la dinámica de ruptura de los dispositivos